Технология высокотемпературной склейки кремниевых пластин для применения в микроэлектронике
|
Краткое описание и назначение разработки (область применения): |
|
Технология высокотемпературной (1200 °С) склейки пластин монокристаллического кремния может быть использована для получения структур КНИ (кремний на изоляторе) и в технологии производства интегральных микросхем |
|
Технические и экономические преимущества, социальная значимость: |
|
В технологии применяется специальный состав, который наносится на соединяемые поверхности методом пульверизации |
