Технология высокотемпературной склейки кремниевых пластин для применения в микроэлектронике
| 
 Краткое описание и назначение разработки (область применения):  | 
| 
 Технология высокотемпературной (1200 °С) склейки пластин монокристаллического кремния может быть использована для получения структур КНИ (кремний на изоляторе) и в технологии производства интегральных микросхем  | 
| 
 Технические и экономические преимущества, социальная значимость:  | 
| 
 В технологии применяется специальный состав, который наносится на соединяемые поверхности методом пульверизации  | 
											